砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺

摘要

一种砷化镓基单片集成增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)栅制作工艺，是在一种九层结构的砷化镓基增强/耗尽型PHEMT器件材料上制作晶体管栅，其采用分步制作增强/耗尽型栅技术：第一步，采用湿法腐蚀得到增强型栅槽，电子束蒸发金属Pt/Au形成增强型肖特基栅；第二步，采用湿法腐蚀得到耗尽型栅槽，电子束蒸发金属Ti/Pt/Au形成耗尽型肖特基栅。本发明工艺流程简单、易实现，对增强型PHEMT的制作成功非常有利，且源电阻小，源漏饱和电流较大、工作频率较高。