Acoustic waves; Metal oxide semiconductors; Surface waves; Depletion; Reprints; Transversal filters; Dual gate transistors; Weighting stages;
机译:耗尽模式INSB量子阱场效应晶体管用于逻辑应用的设计与性能分析
机译:集成InAlAs / InGaAs / InP增强型和耗尽型高电子迁移率晶体管,用于高速电路应用
机译:具有高线性度和可变栅极电压摆幅的双栅极In_0.5Ga_0.5P / In_0.2Ga_0.8As伪高电子迁移率晶体管
机译:2.0微米BiCMOS工艺,包括用于合并线性ASIC模拟/数字/电源应用的DMOS晶体管
机译:增强和耗尽型高电子迁移率晶体管的单片集成,适用于晶格匹配的磷化铟材料系统中的低功耗和高速电路应用。
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:耗尽型Insb量子阱的设计与性能分析 用于逻辑应用的场效应晶体管
机译:垂直DmOs晶体管的建模与逻辑应用