全自对准高压N型DMOS器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种制作全自对准高压N型DMOS器件(扩散金属氧化硅半导体场效应晶体管)的方法，在整个N型DMOS区域进行大能量的磷注入，并进行高温推进，形成N型漂移区；P型沟道是在多晶硅栅刻蚀后从源端进行大角度硼注入并补偿N型漂移区形成的；多晶硅栅覆盖全部N型漂移区；采用非均匀的栅氧化层，P型沟道区域采用常规的薄栅氧化层，但在漏极附近的N型漂移区上制作厚栅氧化层。本发明公开了一种全自对准高压N型DMOS器件。本发明能够实现N型DMOS器件尺寸的最小化，获得最小的导通电阻。