机译:多极型双极结型晶体管,双极型CMOS DMOS器件,制造双极型双极结型晶体管的方法以及制造双极型CMOS DMOS器件的方法,包括高放大倍数和击穿电压
公开/公告号KR20100027415A
专利类型
公开/公告日2010-03-11
原文格式PDF
申请/专利权人 DONGBU HITEK CO. LTD.;
申请/专利号KR20080086324
发明设计人 JUN BON KEUN;
申请日2008-09-02
分类号H01L29/72;H01L21/328;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 18:33:08