基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于SiC衬底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法，它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层(2)、高温AlN成核层(3)、本征AlGaN外延层(4)、n-AlGaN势垒层(5)、有源区(6)、p-AlGaN势垒层(7)、低Al组分p型AlGaN层(8)、p型GaN冒层(9)，以及在p型GaN冒层设有的窗口区(10)。该器件通过干法刻蚀p-GaN冒层至电子势垒层p-AlGaN，形成了圆柱状的出射光窗口，二次湿法刻蚀将柱状出射光窗口变为圆锥状窗口，增大了窗口的出射孔径，同时使得出射光的传播距离减少。本发明由于采用刻蚀的方法使得电子势垒层p-AlGaN的表面粗化，进一步提高了出射光的出射效率，且工艺简单，成本低，重复性好，可靠性高，可用于水质检测，医疗探测、生物制药以及白光照明中。