公开/公告号CN101807580B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 英特赛尔美国股份有限公司;
申请/专利号CN201010127719.3
申请日2007-04-20
分类号H01L27/115(20060101);H01L21/8247(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人刘佳
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:09:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-02-08
授权
授权
2010-10-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20070420
实质审查的生效
2010-08-18
公开
公开
机译: 基于通用栅极CMOS技术和厚氧化层的基于多重时间可编程(MTP)PMOS浮栅的非易失性存储器
机译: 基于通用栅极CMOS技术和厚氧化层的基于多重时间可编程(MTP)PMOS浮栅的非易失性存储器
机译: 用于具有厚栅氧化层的通用CMOS技术的基于多时间可编程(MTP)PMOS浮栅的非易失性存储器件