硅基在片螺旋电感等效电路单Π对称模型参数的提取方法

摘要

本发明是关于硅基在片螺旋电感在考虑衬底寄生电感的等效电路单∏对称模型参数的提取的一种新型解析方法。这种方法是针对硅CMOS超大规模集成电路芯片技术中，特别是射频集成电路广泛应用的在片螺旋电感器件，在测试的S-参数的基础上进行模型参数的提取。本方法通过对一系列反映了电感器件最重要特性的特征函数的分析，发现这些特征函数呈现一定的规律。从相应的系数中，可直接求出等效电路模型的参数值。本方法解决了目前国际上利用传统的迭代和拟合方法提取参数所无法避免的多值性和非最佳解等问题，同时也充分考虑了衬底寄生电感对整个电路的影响。利用本方法所提取的参数进行电感仿真，可以实现同测试结果高精度的符合。