硅基射频螺旋电感的在片测试和剥离方法

摘要

使用无锡上华0.5μm（DPTM）标准CMOS工艺制备了螺旋电感芯片,利用矢量网络分析仪和探针台搭建了硅基螺旋电感测试装置,对该硅基螺旋电感进行了测试。采用两种去除电路寄生参数的剥离方法,分析了高频条件下各种测试寄生参量的影响。建立了基于0.5μm（DPTM）标准CMOS工艺在片螺旋电感的寄生参量单π等效电路模型,详细列出了在片螺旋电感测试和寄生参数的剥离步骤,测试结果在0.1~8.5 GHz范围内与三维电磁场（HFSS）仿真结果有很好的一致性,验证了此方法在片上螺旋电感测试中的有效可行性。