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CVD成膜方法和CVD成膜装置

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本发明涉及一种CVD成膜方法和CVD成膜装置。在腔室(21)内的基座(22)上配置晶片(W)，向腔室(121)内连续供给来自气体供给机构(50)的金属化合物气体供给部(51)的金属化合物气体和来自气体供给机构(50)的还原性有机化合物气体供给部(52)的还原性有机化合物气体，由此在晶片(W)的表面形成金属膜。

著录项

公开/公告号CN101495673B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-12-28

原文格式PDF
申请/专利权人东京毅力科创株式会社;
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申请/专利号CN200780028337.1
发明设计人三好秀典;
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申请日2007-07-18
分类号
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人龙淳
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:08:22

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-09-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/18 授权公告日:20111228 终止日期:20150718 申请日:20070718

专利权的终止
2011-12-28

授权

授权
2009-09-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-07-29

公开

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