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Electrode for plasma CVD film forming apparatus, method for producing electrode, plasma CVD film forming apparatus and method for producing functional film

机译:等离子CVD成膜装置用电极,电极的制造方法,等离子CVD成膜装置及功能膜的制造方法

摘要

Electrode for plasma CVD film forming apparatus which suppresses arc discharge and suppress decrease of film forming rate and has high productivity, method for producing the electrode, plasma CVD film forming apparatus provided with the electrode, and plasma CVD forming apparatus A method for producing a functional film using a membrane device is provided. (31) having dielectric layers (37), (38) containing alumina and titania in a mass ratio of alumina / titania = 80 / 20-40 / 60 on the surface Electrodes (39), (40). Also, this method is a method for manufacturing the electrode by the plasma spraying method. Further, it is a plasma CVD film forming apparatus (31) including the electrode. Further, the present invention is a method for producing a functional film on which a functional film (3) is formed on a substrate film (2) by using the plasma CVD film forming apparatus.
机译:用于抑制电弧放电并抑制成膜速度的降低且生产率高的等离子CVD膜形成装置用电极,该电极的制造方法,具备该电极的等离子CVD膜形成装置以及等离子CVD形成装置提供使用膜装置的胶卷。 (31)在电极(39),(40)的表面具有介电层(37),(38),该介电层包含氧化铝/二氧化钛的质量比为80 / 20-40 / 60的氧化铝和二氧化钛。另外,该方法是通过等离子喷涂法制造电极的方法。此外,它是包括电极的等离子CVD成膜装置(31)。此外,本发明是一种用于制造功能膜的方法,该功能膜通过使用等离子CVD膜形成装置而在基板膜(2)上形成有功能膜(3)。

著录项

  • 公开/公告号JPWO2017104357A1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-10-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 コニカミノルタ株式会社;

    申请/专利号JP20170556437

  • 发明设计人 田邊 格;大石 清;

    申请日2016-11-22

  • 分类号C23C16/503;C23C4/134;C23C4/10;H05H1/46;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:08:02

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