プラズマCVD成膜装置内のダスト微粒子の性状と操作条件との関係

摘要

半導体デバイスや液晶ディスプレイなどの生産工程に不可欠となっているプラズマCVD法では、プロセス中で大量のダスト粒子が発生して、作製する薄膜の膜質の低下や歩留まりの低下が生じるという問題がある。発生したダスト粒子の沈着による薄膜のコンタミネーションを抑制するためには、反応装置内でのダスト粒子の性状と挙動を評価することが重要である。そこで本研究では、ダスト粒子の沈着に影響を及ぼすと考えられるプラズマ中での粒子の浮遊状態とサイズを測定した。この結果と作製膜の性状、成膜速度などの関係を併せて考慮することで、良好な成膜を得るための供給ガス流量の条件について検討した。