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含有连接表面层和衬底区域的部分SOI结构制造方法

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摘要

本发明涉及一种用于生产包含表面层(20’)，至少一个埋入层(36，46)，以及支撑(30)的半导体结构的方法，该方法包括：采用第一材料在第一支撑上形成图形(23)的步骤；在所述图形之间和之上形成半导体层的步骤；组装所述半导体层与第二支撑(30)的步骤。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-07-27

授权

授权
2010-08-04

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 变更前: 变更后: 登记生效日:20100624 申请日:20070226

专利申请权、专利权的转移
2009-05-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-04-01

公开

公开

1. 含有连接表面层和衬底区域的部分SOI结构制造方法 [P] . 中国专利： CN101401199B . 2011.07.27
2. 在BOX两侧具有衬底接触部分的SOI结构及该结构的制造方法 [P] . 中国专利： CN1745474A . 2006-03-08
3. Method for producing partial SOI structures comprising zones connecting a superficial layer and a substrate [P] . 美国专利： US8044465B2 . 2011-10-25

机译：产生包括连接表面层和衬底的区域的部分SOI结构的方法
4. Method for producing partial SOI structures comprising zones connecting a superficial layer and a substrate [P] . 美国专利： US7709305B2 . 2010-05-04

机译：产生包括连接表面层和衬底的区域的部分SOI结构的方法
5. The method of producing the part SOI structure which has the zone which connects with surface layer and the baseplate [P] . 日本专利： JP2009528675A . 2009-08-06

机译：具有具有与表面层和基板连接的区域的部分SOI结构的制造方法