集成有感应晶体管的分立功率金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

一个半导体器件包含一个主FET、一个或多个感应FET和一个共同栅极衬垫。该主FET和一个或多个感应FET形成在共同衬底上。主FET和每个感应FET包括一个源极终端、一个栅极终端和一个漏极终端。共同栅极衬垫连接主FET和一个或多个感应FET的栅极终端。在主FET和一个或多个感应FET的栅极终端之间设置电绝缘体。本发明可应用于N-沟道和P-沟道MOSFET器件。