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孟雄晖; 李思渊; 姜岩峰;
兰州大学物理系静电感应器件研究所;
SIT; 功率增益; 封装; 静电感应晶体管;
机译:评论文章:SiC静电感应晶体管在高频功率放大器上的发展回顾
机译:高频大功率静电感应晶体管
机译:用于设计高频高压纳秒交换机功率晶体管参数的研究
机译:具有静电感应晶体管/晶闸管的新型高效高频负载谐振罐逆变器,采用静电感应晶体管/晶闸管及其相位偏移功率调节方案
机译:基于氮化镓的异质结场效应晶体管,用于大功率高频MMIC功率放大器。
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:高频,大功率晶体管线性功率放大器设计。
机译:氮化镓静电感应功率晶体管
机译:用于机动车辆的发电机调节装置,具有功率晶体管来控制发电机,该功率晶体管基于通过将测得的实际运行参数与记录的运行参数进行比较而获得的结果来控制发电机
机译:用于高频功率放大的横向扩散金属氧化物半导体晶体管具有源极区域,漏极区域,控制栅极以及在漏极区域与控制栅极之间延伸的漂移区。
机译:用于高频IC的功率放大器具有垂直连接的多个级段,并且极化电路分别控制施加到第二级双极晶体管基极的多个基极电压
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