法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-17
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/113 登记生效日:20180328 变更前: 变更后: 申请日:20050330
专利申请权、专利权的转移
2017-02-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/113 登记生效日:20170118 变更前: 变更后: 申请日:20050330
专利申请权、专利权的转移
2017-02-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/113 登记生效日:20170118 变更前: 变更后: 申请日:20050330
专利申请权、专利权的转移
2017-02-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/113 登记生效日:20170118 变更前: 变更后: 申请日:20050330
专利申请权、专利权的转移
2017-02-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/113 登记生效日:20170118 变更前: 变更后: 申请日:20050330
专利申请权、专利权的转移
2011-01-26
授权
授权
2011-01-26
授权
授权
2009-07-01
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-07-01
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-05-06
公开
公开
2009-05-06
公开
公开
查看全部
机译: 在通过改进的形成具有稳定阈值电压和平坦带电压的互补金属氧化物半导体(CMOS)结构的方法形成的CMOS器件中,实现在CMOS器件中实现阈值电压控制的阻挡层(的高k电介质选择性实现)
机译: 在具有高k电介质的CMOS器件制造中选择性实现势垒层以实现阈值电压控制
机译: 在具有高k电介质的CMOS器件制造中选择性实现势垒层以实现阈值电压控制