閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術

摘要

SOICMOSにおいて、ボディ電位を変動させVthを動的に制御することにより、低リーク電流と高速動作を両立させることができるが、2種の素子分離構造を組み合わせることによりトランジスタごとにその動作を実現するデバイス構造を提案する。 SRAMにその構造を適用した結果、セル面積とスタンバイ電流を増加させずに高速動作や低電圧動作を達成した。 さらに、ボディに正バイアス電圧を印加する方式では、閾値電圧Vthの短チャネル効果が抑制されることを見出した。 今後、素子の微細化で顕在化するばらつき問題の抑制に有効である。