通过局部晶片温度控制对晶片上的临界尺寸变化的补偿

摘要

一种用于刻蚀材料晶片的刻蚀系统具有测量装置，刻蚀腔和控制器。测量装置沿晶片的轮廓在多个预先设定的位置测量临界尺寸试验特征图形(CD)。刻蚀腔接纳来自测量装置的晶片。刻蚀腔包括一个支撑晶片的卡盘和多个设置在卡盘中的加热元件。每一个加热元件被定位成和晶片上的每一个预定位置相邻。刻蚀系统控制器耦合到测量装置以接收特定晶片的实际测量的CD。该刻蚀系统控制器也连接到多个加热元件。控制器通过应用刻蚀工艺的温度依赖的刻蚀特性在工艺过程中调节每个加热元件的温度以减少多个预定位置中临界尺寸的变化，补偿刻蚀工艺之前由光刻工艺引入的CD变化。