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双功函数金属栅极结构及其制造方法

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摘要

本发明公开一种半导体器件及其相关制造方法，其中通过用碳和/或氟掺杂金属层，由单个金属层形成双功函数金属栅极电极。

1. 双功函数金属栅极结构及其制造方法 [P] . 中国专利： CN1812054A . 2006-08-02
2. 一种双功函数栅极的上栅极结构、制造方法和晶体管 [P] . 中国专利： CN114334957A . 2022-04-12
3. Semiconductor structure, CMOS device of dual work function, double CMOS circuit of the work function, and a method of forming a CMOS device of dual work function on the substrate (carbide metal gate structure and forming method) [P] . 日本专利： JP5063113B2 . 2012-10-31

机译：半导体结构，双功函数的CMOS器件，双功函数的CMOS电路以及在基板上形成双功函数的CMOS器件的方法（碳化物金属栅极结构和形成方法）
4. Dual work function metal gate structure and related method of manufacture [P] . 美国专利： US7745887B2 . 2010-06-29

机译：双功函数金属栅极结构及其制造方法
5. Semiconductor structure, the method of forming the CMOS device of double work function on the CMOS device of double work function, the CMOS circuit, and the baseplate of double work function (carbonized metal gate structure and formation method) [P] . 日本专利： JP2007525827A . 2007-09-06

机译：半导体结构，在双功函数的CMOS器件上形成双功函数的CMOS器件的方法，CMOS电路和双功函数的基板（碳化金属栅极结构和形成方法）