使用选择性介质淀积的双极晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种使用选择性介质淀积的双极晶体管结构及其相关的制造方法。使用在半导体衬底上的屏蔽介质层上的离子注入掩模将外部基极区域注入到半导体衬底，在所述注入之后，选择性地淀积垂直间隔物层。所述离子注入掩模的一部分嵌入到所述垂直间隔物层内的孔的侧壁内并对准所述孔的侧壁。在制造所述双极晶体管时，所述垂直间隔物层的所述选择性淀积减小了热预算并降低了工艺复杂度。