用于双层多晶硅双极晶体管中的复合介质层L型侧墙形成技术

摘要

该文给出了Ｅ－Ｂ之间复合介质层Ｌ型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中，器件具有良好的电学特性。