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2.3.6 电学特性表征
5.1.2 阻变存储器的电阻转变机制
6.1 研究结论
赵璐;
西安电子科技大学;
机译:原子层沉积Nb_2O_5薄膜在非易失性存储器中的双极阻变特性
机译:原子层沉积法生长的氧化镧Thin薄膜作为替代栅介质的特性
机译:原子层沉积在替代栅介质中的ZrO_2薄膜特性
机译:原子层沉积法制备的ZrO_2 / Al_2O_3双层薄膜栅电介质薄膜的特性
机译:在Na + / TaurocholateCotroansporting多肽(NTCP)中潜在的变阻率,切换和中性位置在潜在的变阻率,切换和中性位置的功能和表达
机译:具有高介电常数的柔性超高温聚合物基电介质用于薄膜电容器应用
机译:原子层沉积法制备栅介质ZrO2 / al2O3双层薄膜的特性
机译:原子层外延Zns:mn交流薄膜电致发光器件的电特性研究。 (重新公布新的可用性信息)。
机译:高介电常数的薄膜晶体管栅介电层的原子层沉积
机译:based基高介电常数电介质的原子层积累
机译:一种具有高介电常数栅氧化膜形成方法,边界层还原法,高介电常数栅绝缘膜,高介电常数栅绝缘膜和高k栅氧化膜的晶体管,
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