首页> 中国专利> 用于降低MTCMOS电路中模式转变期间的能量消耗的电荷再循环

用于降低MTCMOS电路中模式转变期间的能量消耗的电荷再循环

摘要

在一个实施例中,一种电路包括:经由第一休眠晶体管连接到地的第一电路块;第一电路块和第一休眠晶体管之间的虚拟地节点;经由第二休眠晶体管连接到电源的第二电路块;第二电路块和第二休眠晶体管之间的虚拟电源节点。该电路还包括传输门(TG)或分流晶体管,其将虚拟地节点连接到虚拟电源节点,以实现在电路在活动模式和休眠模式之间转变期间第一电路块和第二电路块之间的电荷再循环。

著录项

  • 公开/公告号CN101090264B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号CN200710108612.2

  • 申请日2007-05-31

  • 分类号

  • 代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人赵淑萍

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-07-24

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K 17/00 授权公告日:20101208 终止日期:20120531 申请日:20070531

    专利权的终止

  • 2010-12-08

    授权

    授权

  • 2008-02-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-12-19

    公开

    公开

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