用于等离子氮化栅极介电层的氮化后二阶段退火的方法

摘要

本发明为一种形成氮氧化硅栅极介电层的方法，该方法包括：利用一等离子氮化制程而将氮并入一介电薄膜中以形成一氮氧化硅薄膜；氮氧化硅薄膜于一第一环境下进行退火，且第一环境包括一于一第一温度下而氧气具有一第一分压的惰性环境；氮氧化硅薄膜于一第二环境下进行退火，且第二环境包括于一第二温度下而氧气具有一第二分压，并且氧气的第二分压大于氧气的第一分压。