Rapid thermal annealing; nitrided gate oxide; electron trap; oxide breakdown field; interface trap density.;
机译:4H碳化硅上氮化后快速热退火栅氧化物中的电流传导机理
机译:一氧化二氮退火后原子层沉积在4H–SiC上沉积的SiO 2 sub>的电学特性
机译:氮化后退火对超薄栅极氧化物性能的影响
机译:氮化后氮化术后快速退火栅极氧化物的特点
机译:X射线形貌技术在PVT生长4H-SiC晶体缺陷行为研究中的应用
机译:退火气氛对Ga2O3 / 4H-SiC n-n异质结二极管特性的影响
机译:在4H-SIC上生长的ALN薄膜的高温退火
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。