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机译:氮化后退火温度对具有超薄(<2.5 nm)等离子氮化栅极电介质的纳米MOSFET性能的影响
Gate leakage; PNA; DPN; Ultra-thin gate oxide;
机译:氮化后退火温度对具有超薄(<2.5 nm)等离子氮化栅极电介质的纳米MOSFET性能的影响
机译:等离子氮化和高温后氮化退火制备厚度小于1nm等效氧化层的高迁移率氮化硅化Gate栅极电介质
机译:通过远程等离子体增强CVD和沉积后快速热退火制备的具有氮化的Si-SiO / sub 2 /界面的超薄氮化硅/氧化物堆叠栅极电介质的PMOSFET的性能和可靠性
机译:超薄栅极氧化术后去耦 - 等离子体 - 氮化退火的影响
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:具有超薄氮化硅栅介质的P-MOSFET的热载流子可靠性