首页> 中国专利> 用于降低单片直流电源的片上终接电路、方法及存储系统

用于降低单片直流电源的片上终接电路、方法及存储系统

摘要

提供最大限度减少单片直流电流消耗的ODT电路和方法及采用具有它们的存储器的存储系统,其中,ODT电路包括终接电压端口、数据I/O端口、第一终接电阻器、开关及终接使能信号产生电路。终接电压端口从稳压器或安装在存储器外的存储控制器接收终接电压;第一终接电阻器的一端连接到数据I/O端口;开关响应终接使能电压信号选择性地把终接电压端口连接到第一终接电阻器的另一端;终接使能信号产生电路在存储器写操作期间响应指示输入数据有效部分或当前周期不是读取周期的信号产生终接使能信号,还可响应来自模式寄存器组输出的信号产生终接使能信号;ODT电路可能包括第二终接电阻器,其一端连接到数据I/O端口而另一端连接到终接电压端口。

著录项

  • 公开/公告号CN100594550C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-03-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200310116315.4

  • 发明设计人 李祯培;

    申请日2003-11-19

  • 分类号G11C7/00(20060101);G11C7/10(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人马莹;邵亚丽

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-01-07

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 7/00 授权公告日:20100317 终止日期:20131119 申请日:20031119

    专利权的终止

  • 2010-03-17

    授权

    授权

  • 2005-12-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-08-11

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号