InA1N/GaN异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种InAlN/GaN异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法。其制作过程为：1)在蓝宝石或SiC衬底上外延生长1～3μm的GaN层；2)在GaN层上外延生长厚度为15～20nm的第一InAlN层，In组分为30～35%，外延生长温度为800℃；3)在第一InAlN层上外延生长厚度为10～15nm第二InAlN层，In组分为10～20%，外延生长温度为800℃；4)在第二InAlN层上进行有源区台面隔离和欧姆接触制作；5)在第二InAlN层上进行栅光刻掩模，并去除栅下方的第二InAlN层，形成槽栅结构；6)在栅槽中淀积厚度为3～5nm的Al₂O₃介质层；7)在Al₂O₃介质层上制作完成栅接触，并对源漏和栅引出电极。本发明具有正向阈值电压高，正栅电压工作范围大，栅泄漏电流小的优点，可用于制作增强型的高电子迁移率晶体管。