一种高密度铜柱凸点键合互连的方法

摘要

本发明公开了一种高密度铜柱凸点键合互连的方法，属于芯片封装领域。本发明所述方法创造性地在铜柱凸点阵列中引入铜‑焊料嵌段纳米线结构代替传统的焊料结构作为键合结构，使其在低温低压条件下即可实现铜柱凸点的键合互连，其生成的互连微结构也具有更高的可靠性，也不会在器件中产生热应力，且可以避免由于焊料的过度溢出、服役过程中的焊料生长或柯肯达尔孔洞形成等问题造成芯片的短路及可靠性问题，实现高密度键合互连；所述方法基于基板电镀方式，可实现一次连续铜柱凸点、嵌段纳米线的合成及键合互连，操作工艺简单，可工业化规模实施。