一种铜柱凸点互连结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铜柱凸点互连结构及其制备方法，属于微电子和微机电系统封装领域。该铜柱凸点互连结构中的铜柱为柱状晶结构，其上部为纳米孪晶组织，由特定的镀液配方及直流电沉积的工艺方法一次性在晶圆基底上制备获得，并进一步加工为铜柱凸点互连结构。一方面，可以利用铜柱中的纳米孪晶铜湮灭界面柯肯达尔孔洞、调控化合物择优生长等，从而提高铜柱凸点的互连性能和服役可靠性；另一方面，与全纳米孪晶组织的铜柱相比，本发明涉及的铜柱组织可以有效减少镀层生长应力。本发明涉及的直流电镀工艺可以和现有的晶圆级封装技术兼容，使该发明成果更容易实现产业化。