具有外延的C49-硅化钛（TiSi₂）层的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明是关于一种具有C49相的外延生长硅化钛层的半导体装置及其制造方法。此硅化钛层具有预定而不转换该钛层相的界面能量，因此，可防止钛层凝块及沟纹现象的发生。该半导体装置包括：硅层；形成在该硅层上的绝缘层，其中打通部分的绝缘层以形成曝露出部分硅层的接触孔；外延生长的硅化钛层，其具有C49相且会形成在该已布置于该接触孔内的经曝露出的硅基材上；及金属层，其形成在该硅化钛层的表面上。