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杨君玲; 陈诺夫; 刘志凯; 杨少延; 柴春林; 廖梅勇; 何宏家;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;
半导体性锰硅化物; 硅单晶; 离子束外延生长;
机译:离子束外延生长硅层中离子束注入的自填隙缺陷的扩散
机译:质分析低能双离子束外延技术在硅上生长MnSi_〜1.73
机译:硅调节过量锰生长的黄瓜(Cucumis sativus L.)中酚类化合物的代谢和利用
机译:在硅上选择性生长的III-V化合物半导体纳米/微结构,用于光电应用
机译:分子束外延生长的锰基金属与化合物半导体之间*界面的表征和稳定性
机译:多晶双硅薄膜的生长特性和半金属-半导体转变的研究
机译:用锰和硅剂量在营养液中生长的水稻在锰和硅剂量的营养液中生长的水稻
机译:III-V族化合物半导体上生长氧化物的组成/键合与绝缘性能的相关性
机译:III-V族化合物半导体膜的选择性生长掩模和使用该方法的III-V族化合物半导体膜选择性生长方法
机译:利用硅低锰/低锰缓冲层在硅衬底上生长砷化镓薄膜
机译:Czochralski或浮区晶体生长工艺,用于为半导体目的生长硅单晶,包括在消耗性硅管中供应多晶硅
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