University of Minnesota;
机译:气源分子束外延和热线电池法生长的应变Si_(1-y)C_y金属氧化物半导体场效应晶体管的特性与比较
机译:用分子束外延法生长具有两个V族元素的III-V族化合物半导体中As_2和As_4的掺入研究
机译:基于分子束外延生长的梯度间隙p-Hg0.78Cd0.22Te的金属-绝缘体-半导体结构近表面半导体层中的掺杂剂
机译:金属 - 有机气相外延,气源分子束外延和卤化物气相外延生长GaN的对比光学特征
机译:铁磁金属与分子束外延生长的化合物半导体之间的界面的原位表面,化学,电学表征。
机译:分子束外延生长CuGaSe2 / CuInSe2双异质结界面的研究
机译:分子束外延生长的锑基III-V族化合物半导体的外延层应变和异质结构分析
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。