机译:气源分子束外延和热线电池法生长的应变Si_(1-y)C_y金属氧化物半导体场效应晶体管的特性与比较
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
gas-source MBE; HWCVD; Si_(1-y)C_y alloy; strained MOSFET; non-substitutional carbon;
机译:气源分子束外延生长的拉伸应变Si_(1-y)C_y层的表征及装置应用
机译:气源分子束外延生长在Si(001)上外延Si_(1-y)C_y层的表征
机译:源/漏Si_(1-y)C_y应力源对绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:气源分子束外延生长拉伸应变Si_(1-Y)C_Y层的表征和装置应用
机译:通过分子束外延生长的基于锑化物的场效应晶体管和异质结双极晶体管。
机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
机译:表面活性剂辅助分子束外延生长Si / Si_(1-y)C_y超晶格的表征
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。