机译:源/漏Si_(1-y)C_y应力源对绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
Department of Physics, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan, R.O.C.;
strained Si; mobility; SiC; stressor;
机译:碳浓度不同的Si_(1-y)C_y源/漏n型金属氧化物半导体场效应晶体管的辐射容限
机译:Si_(1-x)Ge_x沟道P型场效应晶体管上的Si_(1-y)Ge_y或Ge_(1-z)Sn_z源极/漏极应力源:一项技术计算机辅助设计研究
机译:气源分子束外延和热线电池法生长的应变Si_(1-y)C_y金属氧化物半导体场效应晶体管的特性与比较
机译:使用数值模拟技术测定嵌入式Si_(1-Y)C_Y源/漏极NMOSFET的单轴应力
机译:后收缩肖特基源极金属氧化物半导体场效应晶体管。
机译:电流动力喷墨印刷有机场效应晶体管源/漏电极的几何控制
机译:Si基旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的旋转传输:在倒置通道中的旋转漂移效果,在N + -SI源/漏区中的旋转松弛
机译:评估绝缘体上硅mOs(金属氧化物半导体)晶体管对10-KeV X射线和钴-60辐照的响应