X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层

摘要

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明，由于Ge原予的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退大会使Ge原予向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。