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贺树敏;
山东大学;
自旋电子学; ZnO基磁性半导体; 外延制备; 多铁性材料; 磁介电效应;
机译:尖晶石结构的Mgln_2O_4外延氧化物电极的制备及BaTiO_3-NiFe_2O_4多铁性复合薄膜的异质外延生长
机译:室温下外延Mn:ZnO / BiFeO3多铁性异质结构中电场引起的磁化和电阻转换
机译:脉冲激光沉积制备的外延双层结构Bi_5Ti_3FeO_(15)(m = 4)和Bi_4Ti_3O_(12)-Bi_5Ti_3FeO_(15)(m = 3-4)的自然超晶格结构多铁性薄膜的表征
机译:二维电子气(2DEG)生长的Zn-极性BeMgZnO / ZnO异质结构和BeMgZnO / ZnO异质结构上银肖特基二极管的制备
机译:预热水热法制备压电纳米发电机ZnO纳米棒/石墨烯/ ZnO纳米棒外延双异质结构
机译:尖晶石结构MgIn2O4外延氧化物电极的制备及BaTiO3-NiFe2O4多铁复合薄膜的异质外延生长
机译:采用分子束外延法制备锡基IV-IV异质结构
机译:氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
机译:制备P型ZnO基复合半导体层的方法,制备ZnO基复合半导体元件的方法,P型ZnO基复合半导体,单晶层,ZnO基复合半导体粉体,ZnO
机译:P型半导体薄膜和ZnO基纳米棒的异质结结构,其制造方法和装置,该方法适用于在室温和高温下随温度变化而容易地使具有异质结结构的器件嵌入室温
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