MIM电容结构及MIM电容的制备方法

摘要

本发明实施例涉及一种MIM电容的制备方法以及一种MIM电容结构，包括：提供由前段工艺形成的器件结构；在所述器件结构中形成凹槽；形成连续的第一金属结构，所述第一金属结构形成于所述凹槽底部、所述凹槽的侧壁、并延伸至所述凹槽外的器件结构的表面；在所述第一金属结构上形成电容介质结构；在电容介质结构上形成第二金属结构；利用第一光刻掩膜版，去除掉所述第一金属结构、电容介质结构以及第二金属结构的边缘部分，保留形成于所述凹槽内、部分延伸至所述凹槽外的第一金属结构、电容介质结构及第二金属结构，分别作为所述MIM电容的下极板、电容介质层、上极板。