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GaAs MMIC的MIM电容介质的TDDB特性

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本文运用TDDB理论,研究分析了GaAs MMIC的MIM氮化硅电容的导电特性和击穿特性,设计了不同斜率的斜坡电压对氮化硅介质进行了可靠性评价.Si<,3>N<,4>MIM电容的可靠性与其面积的成正比、与其周长成反比.

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来源
《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》|2003年|68-72|共5页
会议地点西宁
作者
黄云; 林丽; 钮利荣;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
MIM电容; TDDB; 介质击穿; 氮化硅介质; 可靠性评价;

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