GaAs MMIC钝化层介质Si_3N_4的可靠性评价

摘要

在斜坡电压应力条件下对GaAsMM IC介质层Si3N4的击穿特性进行了测试,探讨了电容面积、周长以及斜率对与时间有关的介质击穿(TDDB)特性的影响.实验结果表明,电容面积越大,周长越长,介质中的缺陷就越多,其击穿电压也就越低,可靠性越差.根据TDDB线性电场模型,采用不同斜率的斜坡电压应力测试数据预测了正常工作电压下的Si3N4寿命.与温度加速实验相比,文中所提方法快速、成本低廉.