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刘宝峰; 李洪峰; 金立国;
哈尔滨理工大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150040;
SiN4薄膜; 界面态; 表面电荷;
机译:SiO2 / Si3N4和SiNx / Si3N4双层钝化的AlGaN / GaN结构的电容电压和俄歇化学性质研究
机译:通过使用GeO _xN_y钝化层的锗基金属氧化物半导体器件的原子层沉积法生长的TiO_2 / HfO_2双层栅堆叠
机译:Si3N4钝化层的性能对常断型AlGaN / GaN HEMT的电学特性的影响
机译:具有硅界面钝化层的III-V MOS器件的电学特性研究。
机译:使用沟道层的单步沉积的薄膜互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:采用GeOxNy钝化层的锗基金属氧化物半导体器件原子层沉积生长的TiO2 / HfO2双层栅堆叠
机译:Ge衬底上Znse和Zns sub X se sub 1-X外延层的制备和评价,用于表面钝化和异质结器件
机译:用于半导体器件的钝化化合物,包括硅氮化物层(SI3N4)和磷化玻璃层(PSG)及其制造方法
机译:在基板中具有半导体元件的半导体器件-在半导体元件之间的区域中具有金属布线层,并且与布线层绝缘的评估器件用于研究电特性
机译:用于半驱动器装置的由钝化层组成的,包括氮化硅层(si3n4)和磷硅酸盐玻璃层((psg))的钝化层及其制造方法
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