ZnS:TbOF薄膜结晶性及不同复合绝缘层绿色ACTFEL器件特性的研究

摘要

为了改善ACTFEL器件的性能，本文就射频磁控溅射ZnS∶TbOF薄膜结晶性随溅射淀积条件的变化进行了研究，得出最佳选择：射频功率密度1．54W／cm2，衬底温度175℃，压强0．67Pa，溅射气体为纯Ar。同时，制备了几种不同复合绝缘层结构的绿色ACTFEL器件并就其性能作了比较。得出最佳结构：ITO／SiO_2／Ta_2O_5／ZnS：TbOF／SiO_2／Ta_2O5／Al。这说明了高电阻率介质用作与发光层相邻的第二绝缘层可以改善器件发光特性。