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钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池

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本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中，R

著录项

公开/公告号CN104488069B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-19

原文格式PDF
申请/专利权人日立化成株式会社;
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申请/专利号CN201380036945.2
发明设计人田中彻;吉田诚人;仓田靖;织田明博;佐藤铁也;早坂刚;
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申请日2013-07-12
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人蒋亭
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 10:06:23

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-07-05

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/316 授权公告日:20180119 终止日期:20180712 申请日:20130712

专利权的终止
2018-01-19

授权

授权
2015-08-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/316 申请日:20130712

实质审查的生效
2015-04-01

公开

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