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一种基于忆阻交叉阵列的LSTM神经网络系统

摘要

本发明公开了一种基于忆阻交叉阵列的LSTM神经网络系统,包括:输入层、特征提取层和分类输出层,特征提取层包括:数据存储器、第一忆阻交叉阵列、第一DA转换器和AD转换器,所述分类输出层包括:第二DA转换器、第二忆阻交叉阵列和电压比较器;所述第一忆阻交叉阵列,用于进行特征提取;所述第二忆阻交叉阵列,用于进行特征分类,所述电压比较器,用于对多个模拟电压进行比较,得到多个模拟电压的比较结果;将比较结果中的最大值作为输入层的数字信号的分类结果。本发明系统尺寸更小,功耗更低。

著录项

  • 公开/公告号CN109472348B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201811236611.0

  • 发明设计人 温世平;魏华强;黄廷文;曾志刚;

    申请日2018-10-23

  • 分类号G06N3/04(20060101);G06N3/063(20060101);

  • 代理机构42201 华中科技大学专利中心;

  • 代理人李智;曹葆青

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2022-08-23 13:08:17

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