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一种键合强度的测量方法及采用该测量方法的键合晶圆

摘要

本发明公开了一种键合强度的测量方法及采用该测量方法的键合晶圆,该测量方法包括步骤:步骤S1,采用刀片使两片晶圆中间产生缝隙,将刀片的刀头位置记录为初始位置;步骤S2,在键合晶圆的上表面,以初始位置为起点,从键合晶圆的晶边向内依次设置多个测量点;步骤S3,采用距离检测器依次检测各个测量点至预设高度的距离并记录;步骤S4,比较每两个相邻的测量点的距离,并将距离相同的两个测量点中的前一个作为结束位置;步骤S5,将初始位置至结束位置之间的长度定义为缝隙的长度,计算得到键合晶圆的键合强度。本发明键合强度的测量方法,实现了键合强度的简便有效测量,提高测量的准确性;可广泛应用于半导体所有使用bonding的工艺技术中。

著录项

  • 公开/公告号CN109524321B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201811368336.8

  • 发明设计人 曹玉荣;李虎;张志刚;

    申请日2018-11-16

  • 分类号H01L21/66(20060101);G01N19/04(20060101);

  • 代理机构31272 上海申新律师事务所;

  • 代理人俞涤炯

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 12:55:52

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