公开/公告号CN108198852B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-28
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201810146657.7
申请日2013-06-12
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/201(20060101);H01L29/205(20060101);H01L29/40(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/51(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/775(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/786(20060101);B82Y10/00(20110101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人邬少俊;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 12:53:05
机译: III-V-具有III-V族材料有源区且具有多电介质栅堆叠的非平面半导体器件
机译: III-V-具有III-V族材料有源区且具有多电介质栅堆叠的非平面半导体器件
机译: III-V-具有III-V组材料有源区且具有多电介质栅堆叠的非平面半导体器件