公开/公告号CN108198852A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-22
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201810146657.7
申请日2013-06-12
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/201(20060101);H01L29/205(20060101);H01L29/40(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/51(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/775(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/786(20060101);B82Y10/00(20110101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人邬少俊;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-06-19 05:42:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20130612
实质审查的生效
2018-06-22
公开
公开
机译: III-V-具有III-V族材料有源区且具有多电介质栅堆叠的非平面半导体器件
机译: III-V-具有III-V族材料有源区且具有多电介质栅堆叠的非平面半导体器件
机译: III-V-具有III-V组材料有源区且具有多电介质栅堆叠的非平面半导体器件