公开/公告号CN107799520B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-16
原文格式PDF
申请/专利权人 格芯(美国)集成电路科技有限公司;
申请/专利号CN201710755737.8
申请日2017-08-29
分类号H01L27/04(20060101);H01L21/768(20060101);H01L23/498(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 12:49:01
机译: 过硅层后零层通过减少BEOL泵送作用保持穿过硅的区域
机译: 通过降低BEOL泵浦效应,过零过孔层可覆盖整个硅区域,
机译: 硅酮用于测量硅通孔中的流动电流,硅通孔由硅中介层组成,其制造方法和硅中介层