硅通孔上方的后零通孔层禁入区域减少BEOL泵效应

摘要

本发明涉及硅通孔上方的后零通孔层禁入区域减少BEOL泵效应，其提供一种IC结构及其相关方法。该IC结构包括：一半导体衬底以及设于该半导体衬底内的一硅通孔。一第一互连层包含设于该硅通孔上的多个V0通孔，其中该多个V0通孔横向设于该硅通孔的一上表面区域内。设于该第一互连层上方的至少一第二互连层包括多个横向位于该硅通孔上方的一禁入区域的外侧的多个通孔。该方法包括形成包含设于一硅通孔上的多个V0通孔的一第一互连层，该V0通孔横向设于该硅通孔的一上表面区域内，以及形成设于该第一互连层上方并包含横向位于该硅通孔上方的一禁入区域的外侧的多个通孔的至少一第二互连层。