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公开/公告号CN108922886B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;四川明泰电子科技有限公司;
申请/专利号CN201810970939.9
发明设计人 刘继芝;曾耀辉;赵建明;李蛇宏;杨益东;
申请日2018-08-24
分类号H01L27/02(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人甘茂
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 12:44:26
机译: 低压触发的SOI-SCR器件及相关的ESD保护电路
机译:具有对称触发电路的低泄漏双向SCR,可在40nm CMOS工艺中提供ESD保护
机译:基于SCR或带动态或静态触发电路的双向SCR的32 nm本地保护的ESD性能评估
机译:基板触发的ESD保护电路,无需进行额外的工艺修改
机译:低触发电压基于SCR的双向ESD保护电路的设计
机译:ESDCat:一种新的CAD软件包,用于全芯片ESD保护电路设计验证。
机译:甾醇代谢网络的干扰素控制:双向分子电路介导的宿主保护
机译:亚四分之一微米CmOs工艺中基板触发技术的混合电压I / O电路的EsD保护设计
机译:Falling Beam soilsaw(商标),一种形成UndergroundCutoff Walls的先进工艺