基于0.5μm BCD工艺的双向SCR结构的ESD保护设计

摘要

针对双向可控硅(DDSCR)在特征尺寸不断缩小的集成电路中,难以达到窄小静电放电(ESD)设计窗口的ESD防护需求,设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR (GFDDSCR) ESD保护器件,并基于0.5 μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺进行制备.利用传输线脉冲测试研究不同关键尺寸的GFDDSCR的ESD特性及单位面积ESD防护能力,分析器件ESD特性随关键尺寸变化的规律,得到优化的GFDDSCR的结构参数.结果表明,与DDSCR的改进型结构(IBDSCR)相比,优化的GFDDSCR触发电压下降了27％,电压回滞幅度减小了53％,维持电压和失效电流基本不变,能够满足微纳米级集成电路窄小ESD设计窗口的需求.